根據WSTS數據，全球集成電路細分市場周期具有相似的波動性，而其中存儲芯片市場的彈性更大，本輪周期的市場規(guī)模增速頂部出現在2021年，2022年開始出現規(guī)模下滑。權威觀點認為，半導體存儲器行業(yè)作為全球集成電路產業(yè)規(guī)模最大的分支之一，與下一代信息技術的發(fā)展密不可分。

(資料圖片)

作為電子設備的最大生產國和最大消費國，中國是存儲芯片最大的終端使用地，但國產存儲芯片目前占比較小，國產存儲行業(yè)有巨大的成長空間，國內存儲器廠商將迎來巨大的發(fā)展機遇。

專注研發(fā)投入產出，重視人才培養(yǎng)

佰維存儲（688525.SH）主要從事半導體存儲器的研發(fā)設計、封裝測試、生產和銷售，主要產品及服務包括嵌入式存儲、消費級存儲、工業(yè)級存儲及先進封測服務。公司緊緊圍繞半導體存儲器產業(yè)鏈，構筑了研發(fā)封測一體化的經營模式，在存儲介質特性研究、固件算法開發(fā)、存儲芯片封測、測試研發(fā)、全球品牌運營等方面具有核心競爭力。

另一方面，公司積極布局芯片IC設計、先進封測、芯片測試設備研發(fā)等技術領域，是國家級專精特新小巨人企業(yè)、國家高新技術企業(yè)。公司產品可廣泛應用于移動智能終端、PC、行業(yè)終端、數據中心、智能汽車、移動存儲等領域。通過長期的技術積累與市場開發(fā)，公司產品與品牌競爭力不斷提高，存儲器產品已進入眾多行業(yè)龍頭客戶的供應鏈體系，并且在多個細分市場占據重要份額。

作為技術密集型產業(yè)，公司多年來高度重視研發(fā)投入，注重培養(yǎng)技術團隊，堅持技術立業(yè)。

2022年，公司成功引進一批具有國際視野的先進封測團隊和IC設計團隊，不斷夯實和強化公司研發(fā)技術實力，打造有層次的技術研發(fā)梯隊。

此外，公司在2022年持續(xù)加大新項目新技術的研發(fā)投入，不斷增加對存儲解決方案研發(fā)、先進封測、芯片IC設計、測試設備研發(fā)等核心技術的費用投入，進一步拓展產業(yè)鏈布局，提高技術競爭力。公司2022年研發(fā)投入為12,639.67萬元，較2021年增長了18.27%。

經過多年的發(fā)展積淀，公司取得了豐碩的科技成果。截至2022年12月31日，公司共取得242項境內外專利和4項軟件著作權，其中專利包括37項發(fā)明專利、131項實用新型專利、74項外觀設計專利。成為國內廠商中少數同時掌握NAND Flash、DRAM存儲器研發(fā)設計與先進封測制造的企業(yè)。

市場步入下行周期尾部，2023年下半年有望觸底反彈

據TrendForce集邦咨詢報告顯示，2022年NANDFlash全球市場規(guī)模同比下跌12.5%，平均單價同比下跌32.6%；2022年DRAM全球市場規(guī)模同比下跌13.2%，平均單價同比下跌16.5%。全球存儲市場量價齊跌，對全球半導體存儲器廠商經營業(yè)績造成不利影響。

三星電子、海力士、美光科技等頭部企業(yè)2023年一季度財報顯示存儲業(yè)務均出現虧損，二季度財務數據也同樣不容樂觀，報告顯示，美光第二季度營收為36.9億美元（當前約253.87億元人民幣），上一財季為40.9億美元，去年同期為77.9億美元，同比下降約53%。凈虧損高達23.12億美元，創(chuàng)下2003年第二財季（虧損19.4億美元）以來的歷史單季虧損新高。

需要指出的是，盡管各大頭部廠商都遭受了一定程度的業(yè)績下滑，存儲器業(yè)務的業(yè)績相比上一個季度大幅度下滑，這是持續(xù)庫存調整和整體需求下降的結果。隨著消費電子行業(yè)迎來復蘇，預計市場對半導體的需求將會逐步恢復。而三星的減產計劃也將推動全球存儲市場恢復供需平衡，步入良性發(fā)展。

目前，國產DRAM和NANDFlash芯片市場份額較低，尚處于起步發(fā)展階段，但得益于國內信息化、數字化、智能化進程加快，用戶側的視頻、監(jiān)控、數字電視、社交網絡等應用和制造側的工業(yè)智能化逐漸普及，有力刺激了存儲芯片的市場需求快速增長。（CIS）

關鍵詞：