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N-溝道功率MOSFET-MPF12N65
2023-08-15 12:09:55來源: 工采網(wǎng)電子元件

MOS管是一種金屬氧化物半導體場效應晶體管;它由金屬、氧化物和半導體材料構成;分為N溝道型(NMOS)和P溝道型(PMOS)兩種類型;具有低功耗、高速度、小型化、可靠性優(yōu)點。

工作原理是通過控制柵極電壓來調節(jié)漏極和源極之間的電流流動,實現(xiàn)信號放大或開關操作;由于MOS管結構簡單,可以實現(xiàn)高度集成的電路設計,在現(xiàn)代電子技術中起著不可忽視的作用。


(資料圖片僅供參考)

可廣泛應用于電子設備中,如集成電路、電源管理、通信系統(tǒng)等領域;MOS管在集成電路中作為邏輯門、存儲器和微處理器等關鍵組件,可以實現(xiàn)高度集成和小型化。在電源管理中,MOS管用于電池管理、功率放大和開關控制等。在通信系統(tǒng)中,MOS管用于射頻功率放大器、調制解調器和濾波器等。

由工采網(wǎng)代理的MPF12N65是一款高壓平面MOS管;采用N-type溝道形式;TO-220F封裝;可應用于LED電源/適配器/PD快充等等。

MPF12N65特性:

額定電壓(電流):650V-12A

柵極開啟電壓:2.0V~4.0V

導通電阻:典型值0.65Ω,絕對值為0.8Ω

柵極電荷量(nC):40.2

輸入結電容(pF):1780pF

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原文標題 : N-溝道功率MOSFET-MPF12N65

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