第三代半導體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文

這是自1年半之前的2021年第四季度以來首次出現(xiàn)季度間正增長。

(資料圖)

展望2023年第三季度，大多數(shù)公司都預計將比2023年第二季度繼續(xù)增長。

來源：國際電子商情

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機構(gòu)預測，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場將達35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場需求增長到21億美元。近年來，國內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產(chǎn)業(yè)鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導體領(lǐng)先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導體重點企業(yè)與項目。

會議主題包括但不限于

國際形勢對中國第三代半導體發(fā)展的影響

第三代半導體市場及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇

6寸與8寸SiC項目投資與市場需求

SiC長晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項目實踐

8英寸SiC國產(chǎn)化進程和技術(shù)突破

SiC市場以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進展

大尺寸GaN長晶難點及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進展

SiC與GaN器件與下游應(yīng)用

功率器件封裝技術(shù)與材料

新興化合物半導體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅

工業(yè)參觀與考察（重點企業(yè)或園區(qū)）

最新日程如下

*以上演講報告列表將隨著會議邀請工作進展不斷更新，最終版以會場發(fā)布為準。

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中國大陸電子特氣項目表（月度更新）

中國大陸半導體濕電子化學品項目表（月度更新）

中國大陸晶圓廠當月設(shè)備中標數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國大陸上月半導體前道設(shè)備進口數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國大陸半導體大硅片項目地圖（月度更新）

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