第三代半導體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開,詳見后文
這是自1年半之前的2021年第四季度以來首次出現(xiàn)季度間正增長。
(資料圖)
展望2023年第三季度,大多數(shù)公司都預計將比2023年第二季度繼續(xù)增長。
來源:國際電子商情
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料,在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點;碳中和與新能源體系變革的背景下,在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。
據(jù)行業(yè)機構(gòu)預測,到2026年,碳化硅產(chǎn)品市場將達35億美元,氮化鎵功率產(chǎn)品市場需求增長到21億美元。近年來,國內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目,全產(chǎn)業(yè)鏈項目約26個,國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場,受益于特斯拉的應(yīng)用需求,意法半導體領(lǐng)先全球市場;Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集,是投資和創(chuàng)新重點。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導入產(chǎn)業(yè),8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn),其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速,國內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。
第三代半導體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景,最新襯底、外延、器件技術(shù)與項目投資,碳化硅、氮化鎵長晶技術(shù),凈化工程與EPC,新興化合物半導體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導體重點企業(yè)與項目。
會議主題包括但不限于
國際形勢對中國第三代半導體發(fā)展的影響
第三代半導體市場及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
6寸與8寸SiC項目投資與市場需求
SiC長晶工藝技術(shù)與設(shè)備
凈化工程與EPC工程項目實踐
8英寸SiC國產(chǎn)化進程和技術(shù)突破
SiC市場以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案
SiC與GaN外延片技術(shù)進展
大尺寸GaN長晶難點及技術(shù)展望
GaN材料技術(shù)進展
SiC與GaN器件與下游應(yīng)用
功率器件封裝技術(shù)與材料
新興化合物半導體進展:氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅
工業(yè)參觀與考察(重點企業(yè)或園區(qū))
最新日程如下
會議日程 |
寬禁帶器件應(yīng)用中的機遇與挑戰(zhàn)(題目暫定) ——廈門三安光電有限公司(已定) |
中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)布局情況(題目暫定) ——中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟(已定) |
SiC單晶生長技術(shù)淺析及應(yīng)用展望(題目暫定) ——山西爍科晶體有限公司(已定) |
國產(chǎn)碳化硅功率器件機遇和挑戰(zhàn)(題目暫定) ——安徽芯塔電子科技有限公司(已定) |
國產(chǎn)SiC MOSFET發(fā)展要點淺析 ——泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(已定) |
用于汽車半導體的碳化硅MOSFET解決方案(題目暫定) ——深圳基本半導體有限公司(已定) |
大尺寸碳化硅單晶工藝控制 ——山東天岳先進材料科技有限公司(待定) |
碳化硅晶體的生長技術(shù),PVT法及液相法 ——中國電子科技集團公司第二研究所(待定) |
大尺寸碳化硅晶圓制造技術(shù)難點 ——上海積塔半導體有限公司(待定) |
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景 ——南方科技大學(待定) |
氮化鎵同質(zhì)外延功率/射頻器件應(yīng)用與相關(guān)單晶襯底制備技術(shù)的研發(fā)進展 ——東莞中鎵半導體科技有限公司(待定) |
中國第三代半導體供應(yīng)鏈現(xiàn)狀 ——廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司(待定) |
GaN在車用功率半導體的應(yīng)用 ——蘇州晶方半導體科技股份有限公司(待定) |
*以上演講報告列表將隨著會議邀請工作進展不斷更新,最終版以會場發(fā)布為準。
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