新華社上海3月16日電(記者吳振東)半導(dǎo)體芯片運(yùn)算速度越來越快，但隨之而來的芯片發(fā)熱問題困擾著業(yè)界和學(xué)界。復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)新近開發(fā)出一種介電基底修飾新技術(shù)，有望解決芯片散熱問題。相關(guān)研究成果在線發(fā)表于權(quán)威科學(xué)期刊《自然·通訊》。
研究表明，在一個(gè)芯片中，半導(dǎo)體材料和絕緣體材料之間，以六方氮化硼為材質(zhì)的界面材料，將對其電子遷移率和散熱產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)方式是，研究人員先將其在別的“盆”里種出來，然后移栽到芯片材料上。
復(fù)旦大學(xué)聚合物分子工程國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員魏大程帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)，開發(fā)了一種共形六方氮化硼修飾技術(shù)，在最低溫度300攝氏度的條件下，無需催化劑直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、藍(lán)寶石、單晶硅基底表面“生長”高質(zhì)量六方氮化硼薄膜。這一帶來“無縫”效果的共形修飾技術(shù)，能讓芯片材料性能顯著提升。
專家表示，這一技術(shù)具有高普適性，不僅可以應(yīng)用于基于二硒化鎢材料的晶體管器件，還可以推廣到其他材料和更多器件應(yīng)用中，共形六方氮化硼也具有規(guī)模化生產(chǎn)和應(yīng)用的巨大潛力。(完)
關(guān)鍵詞： 介電基底修飾新技術(shù)
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